Перевод: с русского на все языки

со всех языков на русский

слой роста кристалла

См. также в других словарях:

  • РОСТ КРИСТАЛЛА — процесс разрастания к ла. Происходит в насыщенном растворе, расплаве, газообразной или твердой среде в основном за счет новых слоев вещества, откладывающихся на гранях кристаллического многогранника. Это явление усложняется наличием спиралей… …   Геологическая энциклопедия

  • КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ — образование кристаллов из паров, р ров, расплавов, из в ва в тв. состоянии (аморфном или другом кристаллическом), из электролитов в процессе электролиза (электрокристаллизация), а также при хим. реакциях. Для К. необходимо нарушение термодинамич …   Физическая энциклопедия

  • Кристаллизация —         образование кристаллов из паров, растворов, расплавов, вещества в твёрдом состоянии (аморфном или другом кристаллическом), в процессе электролиза и при химических реакциях. К. приводит к образованию минералов. К. воды играет важную роль в …   Большая советская энциклопедия

  • Метод Чохральского — Схема метода Чохральского Метод Чохральского  метод выращивания кристаллов путём вытягивания их вверх от свободной поверхности большого объёма распла …   Википедия

  • МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ — МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ, технологическая реализация процесса кристаллизации с целью получения монокристаллов и пленок различных веществ. В промышленности и исследовательских лабораториях кристаллы выращивают из паров, растворов, расплавов,… …   Энциклопедический словарь

  • ЛАЗЕРНЫЙ ОТЖИГ — в узком, первонач. смысле восстановление под действием лазерного излучения кристаллич. структуры приповерхностных слоев полупроводников, нарушенной ионной имплантацией; открыт в 1975 в СССР [1]. Под Л. о. в широком смысле понимают структурные… …   Физическая энциклопедия

  • Фронтальный клеточный автомат — (англ. frontal cellular automata, FCA) специальный тип вычислительных алгоритмов, основанных на моделях клеточных автоматов. Название «фронтальный» происходит от одного из популярных применений, а именно, рост кристаллов, когда граница… …   Википедия

  • Лазерные материалы —         вещества, применяемые в Лазерах в качестве активных сред. В 1960 был создан первый лазер, в котором роль активной среды выполнял кристалл рубина (Al2O3 Сг3+). Позднее стали использоваться смесь газов Ne и Не (1960), силикатное стекло с… …   Большая советская энциклопедия

  • Концентрационное переохлаждение — Концентрационным переохлаждением (КП) называют явление, которое возникает при направленной кристаллизации расплава, содержащего примесь, и заключающееся в том, что в результате перераспределения примеси в расплаве перед фронтом кристаллизации… …   Википедия

  • ЭПИТАКСИЯ — (от греч. epi на и taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и г о м о э п и т а к с и ю… …   Физическая энциклопедия

  • ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… …   Энциклопедия Кольера

Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»